一种光致缺陷的CdS纳米片光催化剂制备方法及其在氢硅烷与醇类脱氢偶联反应中的应用【授权发明专利】

2024-04-02 14:04:06 浏览：1607 作者：管理员

本发明公开了一种光致缺陷的CdS纳米片光催化剂制备方法，以及利用其催化氢硅烷与脂肪醇进行脱氢偶联制备硅醚的应用。该光催化剂是将Cd(Ac)...

本发明公开了一种光致缺陷的CdS纳米片光催化剂制备方法，以及利用其催化氢硅烷与脂肪醇进行脱氢偶联制备硅醚的应用。该光催化剂是将Cd(Ac)＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;·2H＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O和SC(NH＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;)＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;以一定比例混合加入到乙二胺中进行溶剂热反应，反应沉淀物经洗涤、干燥后得到CdS纳米片光催化剂，经过光照得到富含表面缺陷的CdS纳米片光催化剂。本发明所述CdS纳米片光催化剂通过Lewis酸位点选择性吸附、活化氢硅烷分子的Si‑H键；表面缺陷还能促进光生电子‑空穴对的分离，使得更丰富的光生电子、空穴作用于反应底物，进而高效地实现氢硅烷与脂肪醇的脱氢偶联反应，在硅醚类化合物的绿色合成中具有良好的应用前景。